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Preliminary Technical Information
GenX3 TM 600V IGBT
Medium-Speed Low-Vsat PT
IXGN400N60B3
V CES = 600V
I C25 = 430A
V CE(sat) ≤ 1.40V
IGBT for 5-40 kHz Switching
E
SOT-227B, miniBLOC
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E153432
V CES
V CGR
V GES
V GEM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GE = 1M Ω
Continuous
Transient
600
600
± 20
± 30
V
V
V
V
G
E
I C25
I C110
T C = 25 ° C (Chip Capability)
T C = 110 ° C
430
200
A
A
C
E
I LRMS
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
Terminal Current Limit
T C = 25 ° C, 1ms
V GE = 15V, T VJ = 125 ° C, R G = 1 Ω
Clamped Inductive Load
T C = 25 ° C
200
1500
I CM = 400
@ V CE < V CES
1000
A
A
A
V
W
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
T J
T JM
T stg
V ISOL
50/60Hz
I ISOL ≤ 1mA
t = 1min
t = 1s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
° C
° C
° C
V~
V~
Optimized for Low Conduction and
Switching Losses
Square RBSOA
High Current Capability
Isolation Voltage 3000 V~
International Standard Package
M d
Weight
Mounting Torque
Terminal Connection Torque (M4)
1.5/13
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Power Inverters
UPS
BV CES
V GE(th)
I C
I C
= 1mA, V GE = 0V
= 8mA, V CE = V GE
600
3.0
5.0
V
V
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
I CES
I GES
V CE = V CES , V GE = 0V
V CE = 0V, V GE = ± 20V
T J = 125 ° C
100 μ A
4 mA
±400 nA
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
V CE(sat)
I C
I C
= 100A, V GE = 15V, Note 1
= 400A
1.25
1.80
1.40
V
V
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100156A(08/09)
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